型号:

MMSZ5266BT1G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:DIODE ZENER 68V 500MW SOD-123
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
MMSZ5266BT1G PDF
产品变化通告 Wire Change 08/Jun/2009
产品目录绘图 SOD-123 Package
标准包装 10
系列 -
电压 - 齐纳(标称)(Vz) 68V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 100nA @ 52V
容差 ±5%
功率 - 最大 500mW
阻抗(最大)(Zzt) 230 欧姆
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-123
供应商设备封装 SOD-123
包装 标准包装
工作温度 -55°C ~ 150°C
产品目录页面 1564 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 MMSZ5266BT1GOSDKR
相关参数
1N6482HE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 600V DO-213AB
T491X476K035AS Kemet CAP TANT 47UF 35V 10% 2917
1N6481HE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 400V DO-213AB
1N6480HE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 200V DO-213AB
MMSZ5266BT1G ON Semiconductor DIODE ZENER 68V 500MW SOD-123
1623853-3 TE Connectivity TRIMMER 1K OHM 0.5W TH
NX5032GA-20.000000MHZ-LN-CD-1 NDK CRYSTAL 20.000000 MHZ 8PF SMD
FDS4072N7 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
A22L-GW-24-01M Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
A22L-GW-12-10M Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V
A22L-GW-12-01M Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
A22L-GR-5-10M Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V
A22L-GR-24-10M Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V
FDS4072N3 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
NX5032GA-20.000000MHZ-LN-CD-1 NDK CRYSTAL 20.000000 MHZ 8PF SMD
MMSZ5266BT1G ON Semiconductor DIODE ZENER 68V 500MW SOD-123
1N6479HE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 100V DO-213AB
1N6478HE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 50V DO-213AB
S3M-E3/9AT Vishay General Semiconductor DIODE GPP 3A 1000V SMC DO-214AB
298D475X0020P2T Vishay Sprague CAP TANT 4.7UF 20V 20% 0906